NDT3055L

Nチャネル Logic Level 拡張モード電界効果トランジスタ 60V、4A、100mΩ

Overview

これらのLogic Level Nチャネル拡張モード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。特に、この高密度のプロセスは、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、DCモーター制御、および高速スイッチング、インライン電力損失低減、過渡抵抗が必要なDC/DC変換などの低電圧アプリケーションに特に適しています。

アプリケーション

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特長

4 A、60V。R_DS(ON)=0.100Ω@V_GS=10V、R_DS(ON)=0.120Ω@V_GS=4.5V。
直接ロジックドライバーからの操作を可能にする低ドライブ要件。 V_GS(TH)<2V。
超低R_DS(ON)用の高密度セル設計
広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

NDT3055L

Active

SOT-223-4 / TO-261-4

318H-01

260

REEL

4000

100

N-Channel

Single

±20

120

345

$0.4045

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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