BSS84

Pチャネル拡張モード電界効果トランジスタ -50V、-0.13A、10Ω

Overview

このPチャネル拡張モードMOSFETは、独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度なプロセスで、オン抵抗を最小化し、堅牢で信頼性の高い性能と高速なスイッチングを実現します。BSS84は、最小限の労力で、最大0.13 AのDC電流を必要とするほとんどのアプリケーションに使用でき、最大0.52 Aの電流を供給できます。この製品は、低電流ハイサイドスイッチを必要とする低電圧アプリケーションに特に適しています。

アプリケーション

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特長

-0.13 A, -50 V
R_DS(ON) = 10 Ω @ V_GS = -5 V
電圧制御Pチャンネル小信号スイッチ
非常に小さいR_DS(ON)用の高密度セル設計
高飽和電流

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

BSS84

Active

SOT-23 (TO-236)

318

260

REEL

3000

-50

P-Channel

Single

±20

-2

-0.13

0.36

10000

0.9

$0.1093

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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Pチャネル拡張モード電界効果トランジスタ -50V、-0.13A、10Ω

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