パワー MOSFET、N チャネル、SUPERFET®、FRFET®、600 V、20 A、190 mΩ、D2PAK

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Overview

SuperFET®II MOSFET は、初代の高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFET ファミリであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。この技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能、dv/dt レート、およびより高いアバランシェ・エネルギーに対応するよう構成されています。その結果、SuperFET MOSFET は、PFC、サーバー/テレコム電源、FPD TV 電源、ATX 電源、産業用電源アプリケーションなどのスイッチング電源アプリケーションに非常に適しています。SuperFET FRFET®MOSFET の最適化されたボディ・ダイオードの逆回復性能により、追加のコンポーネントが削除され、システムの信頼性が向上します。

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  • 650V @TJ = 150°C
  • 通常 RDS(on) = 150mΩ
  • 超少量のゲート電荷 (通常 Qg = 75nC)
  • 低実効出力容量 (通常 Coss.eff = 165pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS対応

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCB20N60FTM

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CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

245

REEL

800

N

N-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

190

±30

5

20

208

-

-

-

75

2370

36

1100

1280

95

$2.421

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