NチャンネルSuperFET® II MOSFET 600V、4.5A、900mΩ

Active

Overview

SuperFET® II MOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクターの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ)MOSFETファミリーです。非常に低いオン抵抗と低ゲート電荷性能のための電荷バランス技術を採用しています。 この技術は導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能、dv/dt レート、および高い電子なだれエネルギーを提供するよう計画されています。 その結果、SuperFET II MOSFETは、PFC、サーバー/テレコム電源、FPD テレビの電源、ATX 電源と産業用電力アプリケーションなどのスイッチング電源アプリケーションに最適です。

  • ă�“ă�®čŁ˝ĺ“�ă�Żĺ¤šć§�ă�Şç”¨é€”ă�«é�©ă�—ă�źć±Žç”¨ĺ“�ă�§ă�™ă€‚

  • 650 V at TJ = 150°C
  • 最大RDS(on)=900mΩ
  • 非常に少量のゲート電荷 (通常 Qg = 13 nC )
  • 低実効出力容量 (通常 Coss.eff = 49 pF )
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 向上したESD容量

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FCD900N60Z

Product List

If you wish to buy products or product samples, please log in to your onsemi account.

検索

Close Search

製品:

1

共有

Product Groups:

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCD900N60Z

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

900

DC: ±20, AC: ±30

3.5

4.5

52

-

-

-

13.1

543

4.8

1300

400

20

$0.621

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.