FCD900N60Z

NチャンネルSuperFET^® II MOSFET 600V、4.5A、900mΩ

Overview

SuperFET^® II MOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクターの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ)MOSFETファミリーです。非常に低いオン抵抗と低ゲート電荷性能のための電荷バランス技術を採用しています。この技術は導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能、dv/dt レート、および高い電子なだれエネルギーを提供するよう計画されています。その結果、SuperFET II MOSFETは、PFC、サーバー/テレコム電源、FPD テレビの電源、ATX 電源と産業用電力アプリケーションなどのスイッチング電源アプリケーションに最適です。

アプリケーション

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特長

650 V at T_J = 150°C
最大R_DS(on)=900mΩ
非常に少量のゲート電荷 (通常 Q_g = 13 nC )
低実効出力容量 (通常 C_oss.eff = 49 pF )
100%電子なだれテスト済み
向上したESD容量

材料組成

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FCD900N60Z

Active

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

REEL

2500

600

900

N-Channel

Single

DC: ±20, AC: ±30

3.5

4.5

13.1

543

$0.621

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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