NチャネルSuperFET® II MOSFET

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Overview

SuperFET® II MOSFETは、非常に低いオン抵抗と少量のゲート電荷パフォーマンスを実現するための電荷バランス技術を利用する、フェアチャイルドセミコンダクターの新しい高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFETファミリーです。 この高度な技術は導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、非常に高いdv/dtレートと高い電子なだれエネルギーに耐えるように設計されています。 そのため、SuperFET II MOSFETはシステムの小型化と高い効率のためのさまざまなAC/DC電源変換に最適です。

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  • 外部AC-DC商用パワーサプライ - データプロセッシング
  • 650 V @ TJ = 150°C
  • 通常 RDS(on) = 112 mΩ
  • 非常に少量のゲート電荷 (通常 Qg = 54 nC)
  • 低実効出力容量 (通常 Coss(eff.) = 240 pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS対応

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FCH130N60

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

450

N

600

130

N-Channel

Single

DC: ±20, AC: ±30

3.5

28

278

-

-

-

54

2700

Price N/A

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