High Voltage MOSFETs | FCH170N60

パワー MOSFET、N チャネル、SUPERFET® II、FAST、600 V、22 A、170 mΩ、TO-247

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Overview

SuperFET® II MOSFET は、最新の高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFET ファミリであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。この先端技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供、極端な dv/dt レートおよびより高いアバランシェ・エネルギーに対応するよう構成されています。その結果、SuperFET II MOSFETは、システムの小型化と高効率化を目的としたさまざまなAC/DC電圧変換に適しています。

  • AC-DC商用パワーサプライ
  • AC-DC商用パワーサプライ - デスクトップPC
  • AC-DC商用パワーサプライ - サーバー & ワークステーション
  • コンシューマー
  • 発電と配電

  • 650 V @TJ = 150°C
  • 通常 RDS(on) = 150 mΩ
  • 非常に少量のゲート電荷 (通常 Qg = 42 nC)
  • 低実効出力容量 (通常 Coss(eff.) = 190 pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS対応

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCH170N60

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FCH170N60

Equivalent to wafer fab process: 3A

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3A

26

4688824297

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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