Power MOSFET、N チャネル、SUPERFET® II、FAST、600 V、37 A、104 mΩ、TO-220

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Overview

SuperFET® II MOSFET は、最新の高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFET ファミリであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。この先端技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供、極端な dv/dt レートおよびより高いアバランシェエネルギーに対応するよう構成されています。その結果、SuperFET II MOSFETは、システムの小型化と高効率化を目的としたさまざまなAC/DC電圧変換に適しています。

  • Industrial Power Supplies

  • Telecom / Server Power Supplies

  • 650 V @ TJ = 150°C
  • 通常 RDS(on) = 96 mΩ
  • 非常に少量のゲート電荷 (通常 Qg = 63 nC)
  • 低実効出力容量 (通常 Coss(eff.) = 280 pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS対応

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCP104N60

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

800

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

104

DC: ±20, AC: ±30

3.5

37

357

-

-

-

63

3130

15

8800

75

3.66

$2.5757

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