Power MOSFET、Nチャネル、SUPERFET® II、FRFET®、600 V、37 A、104 mΩ、TO-220

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Overview

SuperFET® II MOSFETは、最新の高電圧スーパージャンクション(SJ)MOSFETファミリーであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。この先端技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供、極端なdv / dtレートやより高いアバランシェエネルギーに対応するよう構成されています。その結果、SuperFET II MOSFETは、PFC、サーバー/テレコム電源、FPD TV電源、ATX電源、産業用電源アプリケーションなどのスイッチング電源アプリケーションに非常に適しています。SuperFET II FRFET®MOSFETの最適化されたボディダイオードの逆回復性能により、追加のコンポーネントが削除され、システムの信頼性が向上します。

  • AC-DC Power Supplies
  • Lighting

  • Solar Inverters

  • 650 V @TJ = 150°C
  • 最大. RDS(on) = 104 mΩ
  • 低ゲート電荷 (通常 Qg = 110 nC)
  • 低実効出力容量 (通常 COSS.eff = 313 pF)
  • 100%電子なだれテスト済み

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状態

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCP104N60F

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

800

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

104

DC: ±20, AC: ±30

5

37

357

-

-

-

110

4610

44

910

3255

155

$2.5869

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