High Voltage MOSFETs | FCP125N60E

パワー MOSFET、N チャネル、SUPERFET® II、Easy Drive、600 V、29 A、125 mΩ、TO-220

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Overview

SuperFET® II MOSFET は、最新の高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFET ファミリであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。この技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能、dv/dt レート、およびより高いアバランシェ・エネルギーに対応するよう構成されています。その結果、SuperFET II MOSFET イージードライブ・シリーズは、SuperFET II MOSFET シリーズと比較してわずかに遅い立ち上がりおよび立ち下がり時間を提供します。「E」のパーツ番号サフィックスで示されるこのファミリは、EMI の各種問題の管理に役立ち、設計の実装を容易にします。スイッチング損失を絶対最小値に抑える必要のあるアプリケーションでスイッチングを高速化するには、SuperFET II MOSFET シリーズを検討してください。

  • Industrial Power Supplies

  • Telecom / Server Power Supplies

  • 650 V @TJ= 150°C
  • 通常 RDS(on) = 102 mΩ
  • 低ゲート電荷 (通常 Qg = 75 nC)
  • 低実効出力容量 (通常 Coss(eff) = 258 pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS に対応

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCP125N60E

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FCP125N60E

Equivalent to wafer fab process: 3A

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3A

26

4688824297

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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