NチャンネルSuperFET® IIイージードライブMOSFET

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Overview

SuperFET® II MOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクターの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ)MOSFETファミリーです。非常に低いオン抵抗と低ゲート電荷性能のための電荷バランス技術を採用しています。 この技術は導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能、dv/dt レート、および高い電子なだれエネルギーを提供するよう計画されています。この結果、SuperFET II MOSFETイージードライブシリーズは、SuperFET II MOSFETシリーズより立上がり/立下り時間が若干削減されています。 部品番号の末尾に付いた「E」が示すとおり、この製品シリーズはEMI問題の管理に有効で、設計の実装が容易です。 スイッチング損失を極限まで小さく抑える必要がある用途において高速スイッチングが必要な場合は、Super-FET II MOSFETシリーズをご検討ください。

  • Industrial Power Supplies

  • Telecom / Server Power Supplies

  • 650 V @TJ= 150°C
  • 通常 RDS(on) = 132 mΩ
  • 低ゲート電荷 (通常 Qg = 57 nC)
  • 低実効出力容量 (通常 Coss(eff) = 204 pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS に対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCP165N60E

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

800

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

165

DC: ±20, AC: ±30

3.5

23

227

-

-

-

57

1830

24

5300

50

8.6

$1.7746

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