High Voltage MOSFETs | FCP190N60E

パワー MOSFET、N チャネル、SUPERFET® II、Easy Drive、600 V、20.6 A、190 mΩ、TO-220

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Datasheet

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Overview

SuperFET® II MOSFET は、最新の高電圧スーパー・ジャンクション (SJ) MOSFET ファミリであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。この技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能、dv/dt レート、およびより高いアバランシェ・エネルギーに対応するよう構成されています。その結果、SuperFET II MOSFET は、PFC、サーバ/テレコム電源、FPD TV 電源、ATX 電源、産業用電源アプリケーションなどのスイッチング電源アプリケーションに非常に適しています。

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  • 650V @TJ = 150°C
  • 最大 RDS(on) = 190mΩ
  • 超少量のゲート電荷 (通常 Qg = 63nC )
  • 低実効出力容量 (通常 Coss.eff = 178pF )
  • 100%電子なだれテスト済み

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCP190N60E

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

340AT

NA

0

TUBE

800

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

190

DC: ±20, AC: ±30

3.5

20.6

208

-

-

-

63

2385

24

4800

1795

110

$1.6377

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FCP190N60E

Equivalent to wafer fab process: 3A

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3A

26

4688824297

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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