NチャネルSuperFET® II Easy-Drive MOSFET 600 V、15A、260mΩ

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Overview

SuperFET® II MOSFETは、非常に低いオン抵抗と少量のゲート電荷パフォーマンスを実現するための電荷バランス技術を利用する、フェアチャイルドセミコンダクターの新しい高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFETファミリーです。 この技術は導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能、dv/dtレート、および高い電子なだれエネルギーを提供するように設計されています。 その結果、SuperFET II MOSFETは、PFC、サーバー/テレコム電源、FPD テレビの電源、ATX 電源と産業用電力アプリケーションなどのスイッチング電源アプリケーションに最適です。

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  • 650 V @ TJ = 150°C
  • 最大 RDS(on) = 260 mΩ
  • 非常に少量のゲート電荷 (通常 Qg = 48 nC )
  • 低実効出力容量 (通常 Coss.eff = 129 pF )
  • 100%電子なだれテスト済み

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FCPF260N60E

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3 FullPak

NA

0

TUBE

1000

Y

600

260

N-Channel

Single

DC: ±20, AC: ±30

3.5

15

36

-

-

-

48

1810

$1.4738

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