Power MOSFET、Nチャネル、UniFETTM、FRFET®、400V、23A、190mΩ、TO-3P

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Overview

UniFETTM MOSFETは、プレーナストライプおよびDMOS技術をベースとした高電圧MOSFETファミリーです。このMOSFETは、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。UniFETFRFET®MOSFETのボディダイオードの逆回復性能は、ライフタイム制御によって強化されています。trrは100nsec未満で、逆dv / dt耐量は15V / nsですが、通常のプレーナMOSFETはそれぞれ200nsecおよび4.5V / nsecを超えています。そのため、追加のコンポーネントを削除することができ、MOSFETのボディダイオードの性能が重要な特定のアプリケーションでシステムの信頼性を向上させることができます。このデバイスファミリーは、力率改善(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD)TV電源、ATX、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバーターアプリケーションに適しています。

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  • RDS(on)=150mΩ(通常)@ VGS=10V、ID=11.5A
  • 少量のゲート電荷 (通常 46nC)
  • 低Crss (通常 25pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS対応

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FDA24N40F

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Pb

A

H

P

TO-3P-3L

NA

0

TUBE

450

Y

400

190

N-Channel

Single

±30

5

23

235

-

-

-

46

2280

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