Low/Medium Voltage MOSFETs | FDB047N10

Power MOSFET、N チャネル、QFET®、100V、164A、4.7 m Ω、D2PAK

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Datasheet

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Overview

この N チャネル MOSFET は、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように構成された PowerTrench® プロセスを使用して製造されます。

  • AC-DC商用パワーサプライ
  • AC-DC商用パワーサプライ - サーバー & ワークステーション
  • AC-DC商用パワーサプライ - デスクトップPC
  • 無停電電源装置
  • その他のデータプロセッシング
  • 電動式自転車

  • RDS（on） = 3.9mΩ (通常) @VGS = 10V、ID = 75A
  • 高速スイッチング速度
  • 少量のゲート電荷
  • 超低rDS(on)用の高性能トレンチ技術。
  • 高い電力および電流処理能力
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDB047N10

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CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

1

245

REEL

800

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

100

4.7

±20

4.5

164

375

-

-

-

160

11500

36

245

1120

455

$1.8797

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDB047N10

Equivalent to wafer fab process: T2

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T2

0

1290840276

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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