Power MOSFET、Nチャネル、Standard Gate、100 V、268 A、1.7 mΩ

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Overview

このNチャネルMV MOSFETは、シールドゲート技術を組み込んだオン・セミコンダクターの高度なPower Trenchプロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗を最小限に抑えながら、ベストインクラスのソフトボディダイオードで優れたスイッチング性能を維持するように最適化されています。

  • Motor Control
  • DC-DC Converters
  • Battery Management
  • Solar Inverters
  • Fork Lifts, Multi Rotor Drones, Power Tools
  • Power Supplies
  • Battery Packs and Chargers
  • Power Optimizers
  • Low Qrr
  • Soft recovery body diode
  • Low RDS(on)
  • Small Footprint (5 x 6 mm)
  • RoHS compliant

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDB1D7N10CL7

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-7 / TO-263-7

1

245

REEL

800

Y

100

1.75

N-Channel

Single

±20

4

268

250

-

-

-

116

8285

$3.4397

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