Low/Medium Voltage MOSFETs | FDB2532_F085

N チャネル PowerTrench® MOSFET 150V、79A、16mΩ

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Overview

N チャネル PowerTrench® MOSFET 150V、79A、16mΩ、最新のシールドゲート PowerTrench® MOSFET は、小型の QSYNC とソフト逆回復固有のボディ・ダイオードの性能を高速スイッチングと組み合わせ、同期整流の効率を大幅に改善することができます。

  • インフォテインメント
  • ポータブルナビゲーション
  • インフォテインメント
  • その他
  • パワートレイン
  • 安全と管理
  • 快適性と利便性
  • ボディエレクトロニクス
  • 車両安全システム
  • その他のオートモーティブ

  • rDS(ON)=14mΩ(通常)、VGS=10V、ID=33A
  • Qg(tot)=82nC(通常)、VGS=10V
  • 少量のミラー電荷
  • 低QRRボディーダイオード
  • UIS機能（単一パルスと反復パルス）
  • AEC Q101認定
  • RoHS に対応

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDB2532-F085

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDB2532-F085

Equivalent to wafer fab process: 2C

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

2C

0

3698398665

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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