Nチャネル PowerTrench® MOSFET 250V、50A、42.5mΩ

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Overview

このNチャネルMOSFETは、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように構成されたPowerTrench®プロセスを使用して製造されます。

  • 家電製品
  • RDS(on) = 36.3mΩ (通常) @VGS = 10V、ID = 25A
  • 超低RDS(ON)オンの高性能トレンチ技術
  • 少量のゲート電荷
  • 高い出力および電流処理能力

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDB2710

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CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

245

REEL

800

Y

250

42.5

N-Channel

Single

±30

5

50

260

-

-

-

78

5470

$2.3999

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