High Voltage MOSFETs | FDB28N30TM

パワー MOSFET、N チャネル、UniFETTM、300V、28A、129mΩ、D2PAK

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Overview

UniFETTM MOSFET は、プレーナ・ストライプおよび DMOS 技術をベースとした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。このデバイスファミリは、力率改善 (PFC)、フラットパネルディスプレイ (FPD) TV 電源、ATX、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバーターアプリケーションに適しています。

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  • RDS(on) = 108mΩ (通常)@ VGS = 10V、ID = 14A
  • 少量のゲート電荷 (通常 39nC)
  • 低Crss (通常 35pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDB28N30TM

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CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

1

245

REEL

800

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK

High Voltage

Standard

0

Single

0

300

129

±30

5

28

250

-

-

-

39

1690

17

2700

305

35

$0.9414

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDB28N30TM

Equivalent to wafer fab process: 3C

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3C

0

1676189102

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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