N チャネル Power Trench® MOSFET、100V、32A、36mΩ

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Overview

N チャネル Power Trench® MOSFET 100V、32A、36mΩ、最新のシールドゲート PowerTrench® MOSFET は、小型の QSYNC とソフト逆回復固有のボディ・ダイオードの性能を高速スイッチングと組み合わせ、同期整流の効率を大幅に改善することができます。

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  • rDS(ON) = 32mΩ (通常)、VGS = 10V、ID = 32A
  • Qg(tot) = 18.5nC (通常)、VGS = 10V
  • 少量のミラー電荷
  • 低Qrrボディーダイオード
  • UIS機能(単一パルスと反復パルス)
  • AEC Q101認定

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDB3682

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CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

245

REEL

800

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

100

36

±20

4

32

95

-

-

17

18.5

1250

4.6

90

190

45

$1.0194

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