FDC3601N

デュアルNチャネル100V仕様PowerTrench® MOSFET 1.0A、500mΩ

Overview

これらNチャネル100V仕様MOSFETは、優れたスイッチング性能のために低デート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なPowerTrench®プロセスを使用して製造されます。これらのデバイスは、より大規模、より高価なSO-8およびTSSOP-8パッケージが実用的でないアプリケーション向けに、非常に小さなフットプリントで並外れた消費電力を提供するように設計されています。

アプリケーション

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特長

1.0 A、100 V
R_DS(on) = 500 mΩ@ V_GS = 10 V
R_DS(on) = 500 mΩ@ V_GS = 6 V
少量のゲート電荷(3.7nC通常)
高速スイッチング速度。
超低R_{DS(ON)
用の高性能トレンチ技術。}
SuperSOT™ -6 パッケージ: 小さなフットプリント (標準SO-8より72％小さい)。低プロファイル (厚さ 1 mm)。

材料組成

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDC3601N

Active

TSOT-23-6

419BL

260

REEL

3000

100

500

N-Channel

Single

±20

0.96

3.7

153

$0.1945

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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