N チャネル PowerTrench® MOSFET、100V、2.6A、125mΩ

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Overview

この N チャネル MOSFET は、同期または従来のスイッチング PWM コントローラを使用して、DC/DC コンバータの全体的な効率を改善するために特別に設計されています。低ゲート電荷、低 RDS(ON)、高速スイッチング速度向けに最適化されています。

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  • 2.6 A、100 V
  • RDS(on) = 125 mΩ@ VGS = 10 V
  • RDS(on) = 135 mΩ @ VGS = 6 V
  • 超低RDS(ON)
    用の高性能トレンチ技術。
  • 少量のゲート電荷(14nC通常)
  • 高い電力および電流処理能力
  • 高速スイッチング

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDC3612

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

Y

100

125

N-Channel

Single

±20

4

2.6

1.6

-

-

-

14

660

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