Pチャネル PowerTrench® MOSFET、2.5V仕様、-20V、-5.8A、30mΩ

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このPチャネル2.5V仕様MOSFETは、優れたスイッチング性能のために低デート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成されたオン・セミコンダクターの高度なPowerTrenchプロセスを使用して製造されます。これらのデバイスは、ロードスイッチ、電源管理、バッテリー電源回路、DC / DC変換などのバッテリー電源アプリケーションに最適です。

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  • -5.8A、-20V、RDS(on) = 30mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) = 43mΩ @ VGS = -2.5V
  • 少量のゲート電荷
  • 超低RDS(on)用の高性能トレンチ技術。
  • SuperSOT ¨C6パッケージ: 省スペース(標準SO-8より72%小さい)。薄型(厚さ 1 mm)。

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDC608PZ

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

N

-20

-

P-Channel

Single

12

-1.5

-5.8

1.6

43

30

7.2

17

1330

$0.1824

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FDC608PZ-F171

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