Pチャネル PowerTrench® MOSFET、2.5V仕様、-20V、-5.8A、30mΩ

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Overview

このPチャネル2.5V仕様MOSFETは、優れたスイッチング性能のために低デート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成されたオン・セミコンダクターの高度なPowerTrenchプロセスを使用して製造されます。これらのデバイスは、ロードスイッチ、電源管理、バッテリー電源回路、DC / DC変換などのバッテリー電源アプリケーションに最適です。

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  • -5.8A、-20V、RDS(on) = 30mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) = 43mΩ @ VGS = -2.5V
  • 少量のゲート電荷
  • 超低RDS(on)用の高性能トレンチ技術。
  • SuperSOT ¨C6パッケージ: 省スペース(標準SO-8より72%小さい)。薄型(厚さ 1 mm)。

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC608PZ

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

Single

0

-20

-

12

-1.5

-5.8

1.6

43

30

7.2

17

1330

-

-

-

-

$0.1824

More Details

FDC608PZ-F171

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Obsolete

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Pb

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TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

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P-Channel

PowerTrench® T1

TSOT-23-6

Small Signal

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-1.5

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