FDC6303N

デュアルNチャネルデジタルFET 25V、0.68A、0.45Ω

Overview

これらのデュアルNチャネルLogic Level拡張モード電界効果トランジスタは独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するように構成されています。このデバイスは、ロードスイッチアプリケーションのデジタルトランジスタの代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。バイアスレジスタは必要ないため、このひとつのNチャネルFETが、IMHxAシリーズのような各種バイアスレジスタのいくつものデジタルトランジスタに取って代わることができます。

アプリケーション

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特長

25 V、 0.68 A 連続、 2 A ピーク
RDS(ON) = 0.6 Ω @ VGS = 2.7 V
RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V
非常に低いレベルのゲートドライブ要件によって、3V回路で直接操作が可能。 VGS(th) < 1.5 V
ESD堅牢性のためのゲートソースツェナー >6kV人体モデル。
複数のNPNデジタルトランジスター（IMHxAシリーズ）を1つのDMO FETに置き換える

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDC6303N

Active

TSOT-23-6

419BL

260

REEL

3000

N-Channel

Dual

1.5

0.68

0.9

Q1=Q2=600

Q1=Q2=450

3.5

1.64

$0.1387

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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