FDC638P

P チャネル PowerTrench® MOSFET、2.5V 仕様、-20V、-4.5A、48mΩ

Overview

この P チャネル 2.5V 仕様 MOSFET は、優れたスイッチング性能のために低ゲート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench プロセスを使用して製造されています。これらのデバイスは、ロードスイッチ、電源管理、バッテリー充電回路、DC/DC 変換などのバッテリー電源アプリケーションに最適です。

アプリケーション

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特長

• -4.5 A、-20 V。
R_DS(ON)=48mΩ@V_GS=–4.5V
R_DS(ON)=65mΩ@V_GS=–2.5V
• 少量のゲート電荷(通常10nC)
• 超低R_DS(ON)用の高性能トレンチ技術。
• SuperSOT™-6パッケージ: 小型(標準SO-8より72％小さい)、薄型(厚さ 1mm)
Low gate charge (10 nC typical)
High performance trench technology for extremely low R_DS(ON)
SuperSOT ™ –6 package: small footprint (72% smaller than standard SO-8; low profile (1mm thick)

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDC638P

Active

TSOT-23-6

419BL

260

REEL

3000

-20

P-Channel

Single

-1.5

-4.5

1.6

1160

$0.1733

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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