P チャネル PowerTrench® MOSFET、2.5V 仕様、-20V、-4.5A、48mΩ

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Overview

この P チャネル 2.5V 仕様 MOSFET は、優れたスイッチング性能のために低ゲート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench プロセスを使用して製造されています。これらのデバイスは、ロードスイッチ、電源管理、バッテリー充電回路、DC/DC 変換などのバッテリー電源アプリケーションに最適です。

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  • • -4.5 A、-20 V。
  • RDS(ON)=48mΩ@VGS=–4.5V
    RDS(ON)=65mΩ@VGS=–2.5V
    • 少量のゲート電荷(通常10nC)
    • 超低RDS(ON)用の高性能トレンチ技術。
    • SuperSOT™-6パッケージ: 小型(標準SO-8より72%小さい)、薄型(厚さ 1mm)
  • Low gate charge (10 nC typical)
  • High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
  • SuperSOT ™ –6 package: small footprint (72% smaller than standard SO-8; low profile (1mm thick)

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDC638P

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

Y

-20

-

P-Channel

Single

8

-1.5

-4.5

1.6

65

48

11

10

1160

$0.1733

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