FDC6561AN

デュアル N チャネル PowerTrench® MOSFET、ロジックレベル、30V、2.5A、95mΩ

Overview

これらの N チャネル・ロジックレベル MOSFET は、優れたスイッチング性能のために低デート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。これらのデバイスは、小型が望ましく、特にバッテリ駆動システムでの低コスト DC/DC 変換が必要なすべてのアプリケーションに適しています。

アプリケーション

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特長

2.5 A、30 V
R_DS(ON) = 0.095 Ω @ V_GS = 10 V
R_DS(ON) = 0.145 Ω @ V_GS = 4.5 V
非常に高速なスイッチング
少量のゲート電荷 ( 2.1nC通常
SuperSOT™ -6 パッケージ: 小さなフットプリント (標準SO-8より72％小さい)。低プロファイル (厚さ 1 mm)。

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDC6561AN

Active

TSOT-23-6

419BL

260

REEL

3000

Q1=Q2=95

N-Channel

Dual

2.5

0.96

Q1=Q2=145

2.3

220

$0.1985

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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