Small Signal MOSFETs | FDC855N

N チャネル、PowerTrench® MOSFET、ロジックレベル、30V、6.1A、27mΩ

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Datasheet

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Overview

この N チャネル・ロジック・レベル MOSFET は、低電圧およびバッテリ駆動アプリケーション向けの効率的なソリューションです。このデバイスは、高度な PowerTrench® プロセスを利用して、オン抵抗を最小限に抑え、消費電力を最適化します。これらは、インラインの電力損失がクリティカルなアプリケーションに最適です。

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  • 最大 rDS(on) = 27mΩ @ VGS = 10V、ID = 6.1A
  • 最大 rDS(on) = 36mΩ @ VGS = 4.5V、ID = 5.3A
  • SuperSOT™ -6 パッケージ: 小さなフットプリント(SO-8より72%小さい)、ロープロファイル（厚さ1ミリメートル）。
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC855N

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

419BL

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

Single

0

30

27

20

3

6.1

1.6

-

36

-

4.9

493

-

-

-

-

$0.2189

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDC855N

Equivalent to wafer fab process: T5

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T5

0

1599906359

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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