FDC8602: デュアル N チャネル・シールド・ゲート PowerTrench® MOSFET 100V 、1.2 A、350 mΩ

Datasheet: FDC8602JP-D.pdf
Rev. A (342kB)
製品概要
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この N チャネル MOSFET は、rDS(on)、スイッチング性能、堅牢性のために最適化された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。
特長
 
  • 最大 rDS(on) = 350 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 1.2 A
  • 最大rDS(on) = 575 mΩ @VGS = 6 V、 ID = 0.9 A
  • 超低rDS(on)用の高性能トレンチ技術。
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
  • 高速スイッチング速度。
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS対応
アプリケーション
  • ディストリビューション
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明
NCL31010GEVK Active
Pb-free
PoE Interface Intelligent LED Driver Evaluation Kit, IEEE 802.3bt, with Active Bridges
NCL31010REFGEVB Active
Pb-free
Intelligent PoE LED Driver reference design
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FDC8602 Active
Pb-free
Halide free
FDC8602 TSOT-23-6 419BL 1 260 Tape and Reel 3000 $0.4751
マーケットリードタイム(週) : 13 to 16
Avnet   (2020-08-19 00:00) : >1K

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDC8602  
 $0.4751 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
100
±20
4
1.2
0.96
-
-
350
2.5
0.6
53
TSOT-23-6
Case Outline
419BL   
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