FDC8886

30V NチャネルPowerTrench® MOSFET

Overview

このNチャンネルMOSFETは、r^DS(on)スイッチング性能に最適化されたフェアチャイルドセミコンダクター社の高度なPower Trench_®プロセスを使用して生産されます。

アプリケーション

ノートブックＰＣ

特長

最大 r_DS(on) = 23 mΩ @ V_GS = 10 V、I_D = 6.5 A
最大 r_DS(ON) = 36 mΩ @ V_GS = 4.5 V、I_D = 6.0 A
超低r_DS(on)用の高性能トレンチ技術。
高速スイッチング速度。
RoHS対応

材料組成

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDC8886

Active

TSOT-23-6

419BL

260

REEL

3000

N-Channel

Single

6.5

1.6

2.5

348

$0.1517

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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