30V NチャネルPowerTrench® MOSFET

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Overview

このNチャンネルMOSFETは、rDS(on)スイッチング性能に最適化されたフェアチャイルドセミコンダクター社の高度なPower Trench® プロセスを使用して生産されます。

  • ノートブックPC
  • 最大 rDS(on) = 23 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 6.5 A
  • 最大 rDS(ON) = 36 mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 6.0 A
  • 超低rDS(on)用の高性能トレンチ技術。
  • 高速スイッチング速度。
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDC8886

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

Y

30

23

N-Channel

Single

20

3

6.5

1.6

-

36

-

2.5

348

$0.1517

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