N チャネル Power Trench® MOSFET 60V、50A、12.3mΩ

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Overview

この N チャネル MOSFET は、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な Power Trench® プロセスを使用して製造されています。

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  • 最大 rDS(on) = 12.3mΩ @ VGS = 10V、ID = 10.7A
  • 最大 rDS(on) = 15.4mΩ @ VGS= 4.5V、ID = 9.5A
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDD5353

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CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

Y

60

12.3

N-Channel

Single

±20

3

50

69

-

15.4

-

23

2420

$0.6259

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