FDD5353

N チャネル Power Trench® MOSFET 60V、50A、12.3mΩ

Overview

この N チャネル MOSFET は、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な Power Trench® プロセスを使用して製造されています。

アプリケーション

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特長

最大 r_DS(on) = 12.3mΩ @ V_GS = 10V、I_D = 10.7A
最大 r_DS(on) = 15.4mΩ @ V_GS= 4.5V、I_D = 9.5A
UIL 100%テスト済み
RoHS対応

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDD5353

Active

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

REEL

2500

12.3

N-Channel

Single

±20

15.4

2420

$0.6259

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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