FDD5680

N チャネル PowerTrench® MOSFET、38A、21mΩ

Overview

この N チャネル MOSFET は、優れたスイッチング性能のために低デート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されます。

アプリケーション

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特長

38 A、60 V
R_DS(on) = 0.021 Ω @ V_GS = 10 V
R_DS(on) = 0.025 Ω @ V_GS = 6 V
少量のゲート電荷(33nC通常)。
高速スイッチング速度。
超低R_DS(on)用高性能トレンチ技術。

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDD5680

Active

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

REEL

2500

N-Channel

Single

±20

1835

$0.5313

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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