FDD5690

60V N チャネル PowerTrench® MOSFET 30A、27mΩ

Overview

この N チャネル MOSFET は、同期または従来のスイッチング PWM コントローラを使用して、DC/DC コンバータの全体的な効率を改善するために特別に設計されています。これらの MOSFET は、同等の RDS(ON) 仕様を持つ他の MOSFET よりも高速なスイッチングおよび低ゲート電荷を特長としています。その結果、(非常に高い周波数でも) 駆動が容易で安全な MOSFET と、全体的な効率が向上した DC / DC 電源設計を実現します。

アプリケーション

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特長

• 30 A、60 V。
R_DS(on) = 0.027 Ω @ V_GS = 10 V
R_DS(on) = 0.032 Ω @ V_GS = 6 V
• 少量のゲート電荷 (23nC 通常)
• 高速スイッチング速度
。• 超低R_DS(ON)用高性能トレンチ技術。
Low gate charge (23nC typical)
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely low R_DS(ON)

材料組成

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDD5690

Last Shipments

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

REEL

2500

N-Channel

Single

±20

1110

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