High Voltage MOSFETs | FDD5N60NZ

パワー MOSFET、N チャネル、UniFETTM II、600 V、4 A、2 Ω、DPAK

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Overview

UniFETTM II MOSFET は、プレーナ・ストライプおよび DMOS 技術をベースとした高電圧 MOSFET ファミリです。この高度な MOSFET ファミリは、プレーナ MOSFET の中で最小のオン抵抗を備え、優れたスイッチング性能と高いアバランシェ・エネルギー強度も提供します。さらに、内部のゲート・ソース間の ESD ダイオードにより、 UniFET II MOSFET は 2kV 以上の HBM サージ電圧に対応することができます。このデバイス・ファミリは、力率改善 (PFC) 、フラット・パネル・ディスプレイ (FPD) TV電源、ATX、電子ランプ・バラストなどのスイッチング電源コンバータ・アプリケーションに適しています。

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  • RDS(on) = 1.65Ω (通常)@ VGS = 10V、ID = 2.0A
  • 少量のゲート電荷 (通常 10nC)
  • 低Crss (通常 5pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 改良されたdv/dt能力
  • ESD機能改善
  • RoHS対応

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDD5N60NZTM

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CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

1

260

REEL

2500

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

2000

±25

5

4

83

-

-

-

10

450

4

900

50

5

$0.3917

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDD5N60NZTM

Equivalent to wafer fab process: 3C

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3C

0

1676189102

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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