FDFMA2N028Z

統合 N チャネル PowerTrench® MOSFET およびショットキー・ダイオード 20V、3.7A、68mΩ

Overview

このデバイスは、セルラー・ハンドセットやその他のウルトラポータブル・アプリケーションのブースト・トポロジーのシングル・パッケージ・ソリューションとして特別に設計されています。低オン抵抗の MOSFET を備えており、独立して接続された低順方向電圧ショットキー・ダイオードです。MicroFET 2x2 パッケージは、その物理的サイズに対して並外れた熱性能を提供し、スイッチングおよびリニア・モード・アプリケーションに最適です。

アプリケーション

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特長

最大 r_DS(on) = 68mΩ @ V_GS = 4.5V、I_D = 3.7A
最大 r_DS(on) = 86mΩ @ V_GS = 2.5V、I_D = 3.3A
HBM ESD保護レベル> 2kV (注3)
ショットキー
V_F < 0.37V @ 500mA
新パッケージMicroFET2x2 mmに収められており、ロープロファイル - 最大0.8 mm
RoHS対応

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDFMA2N028Z

Obsolete

WDFN-6

511DA

260

REEL

3000

N-Channel

with Schottky Diode

1.5

3.7

1.4

340

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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