Small Signal MOSFETs | FDG1024NZ

デュアルNチャネル PowerTrench® MOSFET 20 V、1.2 A、175 mΩ

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Overview

このデュアルNチャネルLogic Level拡張モード電界効果トランジスタは独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、バイポーラデジタルトランジスタおよびSmall Signal MOSFETの代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。バイアスレジスタは必要ないため、このデュアルデジタルFETが、各種バイアスレジスタ値のいくつもの異なるデジタルトランジスタに取って代わることができます。

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  • 最大 rDS(on) = 175 mO @ VGS = 4.5 V、ID = 1.2 A
  • 最大 rDS(on) = 215 mO @ VGS = 2.5 V、ID = 1.0 A
  • 最大rDS(on) = 270 mO @ VGS = 1.8 V、ID = 0.9 A
  • 最大rDS(on) = 389 mO @ VGS = 1.5 V、ID = 0.8 A
  • HBM ESD保護レベル>2 kV (注3)
  • ゲートドライブ要件が非常に低いレベルであるため、3V回路(VGS(th) < 1 V)で直接操作できる
  • 非常に小さなパッケージアウトラインSC70-6
  • RoHS対応

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDG1024NZ

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Dual

0

20

-

8

1

1.2

0.36

Q1=Q2=215

Q1=Q2=175

-

1.8

115

-

-

-

-

$0.2211

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDG1024NZ

Equivalent to wafer fab process: T5

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T5

0

1599906359

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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