FDG6304P

デュアル P チャネル、デジタル FET -25V、0.41A、1.1Ω

Overview

これらのデュアル P チャネル・ロジックレベル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、バイポーラ・デジタル・トランジスタおよび小信号 MOSFET の代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。

アプリケーション

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特長

-25V、-0.41A継続、-1.5A波高値
R_DS(ON)=1.1Ω@V_GS=-4.5V
R_DS(ON)=1.5 Ω@V_GS=-2.7V
非常に低いレベルのゲートドライブ要件によって、3V回路 (V_GS(th) <1.5 V) で直接動作が可能。
ゲート-ソースツェナー、ESD耐久性 (>6kV人体モデル)。
コンパクトな業界標準SC70-6 表面実装型パッケージ

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDG6304P

Active

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

419B-02

260

REEL

3000

-25

P-Channel

Dual

-8

-1.5

-0.41

0.3

Q1=Q2=1800

Q1=Q2=1100

1.8

1.1

$0.1655

FDG6304P-F169

Obsolete

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

419AD

260

REEL

3000

-25

P-Channel

Dual

-8

-0.41

0.3

1500

1100

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