MOSFETs | FDG6322C

デュアル N & P チャネルデジタル FET 25V

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Overview

これらのデュアル N & P チャネル・ロジックレベル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、バイポーラ・デジタル・トランジスタおよび Small Signal MOSFET の代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。バイアス抵抗を必要としないため、このデュアルデジタル FET は複数の異なるデジタル・トランジスタと異なるバイアス抵抗値を置き換えられます。

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  • N-Ch 0.22 A、 25 V、RDS(ON) = 4.0 W @ VGS= 4.5 V、
  • P-Ch -0.41 A、-25V、RDS(ON) = 1.1 W @ VGS= -4.5V、
  • 超小型外形パッケージSC70-6。
  • ゲートドライブ要件が非常に低いレベルのため、3V回路 (VGS(th) <1.5 V) で直接動作が可能。
  • ESD耐久性ゲート-ソースツェナー(>6k V人体モデル)。

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDG6322C

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

419B-02

1

260

REEL

3000

Y

±25

-

Complementary

Dual

-8

±1.5

N:0.22 , P: -0.41

0.3

N:5000, P:1500

N: 450, P: 1100

-

1.1

62

$0.1336

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