Small Signal MOSFETs | FDG6322C

デュアル N & P チャネルデジタル FET 25V

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これらのデュアル N & P チャネル・ロジックレベル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、バイポーラ・デジタル・トランジスタおよび Small Signal MOSFET の代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。バイアス抵抗を必要としないため、このデュアルデジタル FET は複数の異なるデジタル・トランジスタと異なるバイアス抵抗値を置き換えられます。

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  • N-Ch 0.22 A、 25 V、RDS(ON) = 4.0 W @ VGS= 4.5 V、
  • P-Ch -0.41 A、-25V、RDS(ON) = 1.1 W @ VGS= -4.5V、
  • 超小型外形パッケージSC70-6。
  • ゲートドライブ要件が非常に低いレベルのため、3V回路 (VGS(th) <1.5 V) で直接動作が可能。
  • ESD耐久性ゲート-ソースツェナー(>6k V人体モデル)。

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDG6322C

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Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

419B-02

1

260

REEL

3000

N

Complementary

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

Dual

0

±25

-

-8

±1.5

N:0.22 , P: -0.41

0.3

N:5000, P:1500

N: 450, P: 1100

-

1.1

62

-

-

-

-

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信頼性データ

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Device: FDG6322C

Equivalent to wafer fab process: TP

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TP

8

738717284

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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