Power MOSFET、Nチャネル、UniFETTM、FRFET®、500 V、100A、55mΩ、TO-264

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Overview

UniFETTM MOSFETは、プレーナストライプおよびDMOS技術をベースとした高電圧MOSFETファミリーです。このMOSFETは、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。UniFETFRFET®MOSFETのボディダイオードの逆回復性能は、ライフタイム制御によって強化されています。trrは100nsec未満で、逆のdv / dt耐量は15V / nsですが、通常のプレーナMOSFETはそれぞれ200nsecおよび4.5V / nsecを超えています。そのため、追加のコンポーネントを削除することができ、MOSFETのボディダイオードの性能が重要な特定のアプリケーションでシステムの信頼性を向上させることができます。このデバイスファミリーは、力率改善(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD)TV電源、ATX、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバーターアプリケーションに適しています。

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  • RDS(on) = 43mΩ (通常)@ VGS = 10V、ID = 50A
  • 少量のゲート電荷 (通常 238nC)
  • 低Crss (通常 64pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 改良されたdv/dt能力
  • RoHS対応

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDL100N50F

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-264-3

NA

0

TUBE

375

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-3

High Voltage

Standard

0

Single

0

500

55

±30

5

100

2500

-

-

-

238

12000

95

1500

1700

64

$11.4517

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