FDMA410NZ

NチャネルPowerTrench® MOSFET、1.5 V仕様、20V、9.5A、23mΩ

Overview

このシングルNチャネルMOSFETは、特別なMicroFETリードフレームでrDS（ON）@ VGS = 1.5 Vを最適化するために、高度なPower Trench プロセスを使用して設計されています。

アプリケーション

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特長

最大 r_DS(on) = 23 mΩ @ V_GS = 4.5 V、I_D = 9.5 A
最大 r_DS(on) = 29 mΩ @ V_GS = 2.5 V、I_D = 8.0 A
最大 r_DS(on) = 36 mΩ @ V_GS = 1.8 V、I_D = 4.0 A
最大 r_DS(on) = 50 mΩ @ V_GS = 1.5 V、I_D = 2.0 A
HBM ESD保護レベル > 2.5 kV (注3)
薄型-0.8 mm 最大、新MicroFET 2x2 mmパッケージ
ハロゲン化合物、アンチモン酸化物フリー
RoHS対応

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMA410NZ

Active

WDFN-6

511CZ

260

REEL

3000

N-Channel

Single

9.5

2.4

8.8

815

$0.3215

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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