Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMA530PZ

PチャネルPowerTrench® MOSFET-30V、-6.8A、35mΩ

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Datasheet

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Overview

このデバイスは、セルラーハンドセットやその他のウルトラポータブルアプリケーションのバッテリー充電またはロードスイッチ向けに特別に設計されています。オン抵抗の低いMOSFETを備えています。MicroFET 2x2パッケージは、その物理的サイズに対して並外れた熱性能を提供し、リニアモードアプリケーションに最適です。

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  • 最大 RDS(on) = 35mΩ @ VGS = -10V, ID = -6.8A
  • 最大 RDS(on) = 65mΩ @VGS = -4.5V, ID = -5.0A
  • 低プロファイル - 最大 0.8 mm-新パッケージMicroFET 2×2mm
  • HBM ESD保護レベル >3 kV 通常 (注 3)
  • ハロゲン化合物、アンチモン酸化物フリー
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMA530PZ

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CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-6

511CZ

1

260

REEL

3000

Y

P-Channel

PowerTrench® T1

Power 22

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

-30

35

25

-3

-6.8

2.4

-

65

24

9

805

-

-

-

-

$0.2972

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMA530PZ

Equivalent to wafer fab process: TV

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TV

0

1399545734

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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