NチャネルシールドゲートPowerTrench® MOSFET 80V、66A、7.0mΩ

Favorite

Overview

このNチャネルMV MOSFETは、シールドゲート技術を組み込んだ高度なPowerTrench®プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗を最小限に抑えながら、インクラスのソフトボディダイオードを維持するように最適化されています。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • シールドゲートMOSFET技術
  • 最大 rDS(on) = 7.0 m @ VGS = 10 V、ID = 21 A
  • 最大 rDS(on) = 10.4 m @ VGS = 4.5 V、ID = 17 A
  • 5V 駆動可能他のMOSFETメーカーより
  • 50% 低いQrr
  • スイッチングノイズ/EMIを低減
  • MSL1堅牢パッケージ設計
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS準拠

Product List

If you wish to buy products or product samples, please log in to your onsemi account.

検索

Close Search

製品:

1

共有

Product Groups:

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMC007N08LC

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

80

7

N-Channel

Single

±20

2.5

66

57

-

10.4

-

14

2100

$0.978

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :