P チャネル PowerTrench® MOSFET -12V、-80A、3.9mΩ

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Overview

この P チャネル MOSFET は、同期または従来のスイッチング PWM コントローラを使用して、DC/DC コンバータの全体的な効率を改善し、スイッチノードのリンギングを最小限に抑えるために特別に設計されています。低ゲート電荷、低 rDS(ON) 、高速スイッチング速度およびボディ・ダイオードの逆回復性能向けに最適化されています。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 最大RDS(on)=3.9mΩ @ VGS=-4.5V、ID=-22A
  • • 最大 rDS(on) = 6.4 mΩ @ VGS = -2.5 V、ID = -16 A
  • 最先端のスイッチング性能
  • 低出力容量、ゲート抵抗とゲート電荷ブースト効率
  • シールドゲートテクノロジは、スイッチノードのリンギングを削減し、EMIとクロス導通のイミュニティを強化。
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMC610P

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

N

-12

-

P-Channel

Single

8

-1

-80

48

6.4

3.9

22

71

890

$0.8416

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