30V NチャネルPowerTrench® MOSFET

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Overview

このNチャンネルMOSFETはオン状態の抵抗を最小化するように設計された、フェアチャイルドセミコンダクターの高度なPowerTrench® プロセスを使用して製造されます。 このデバイスはノートブックPCおよびポータブルバッテリーパックで共通のパワーマネージメントおよび負荷スイッチング用途に最適です。

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  • 最大 rDS(on) = 5.7 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 16.9 A
  • 最大 rDS(ON) = 7.0 mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 15.0 A
  • 超低rDS
    (on)
    のための高パフォーマンス技術
  • 端子は鉛フリーでRoHS対応です。

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMC7672

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CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-8

1

260

REEL

3000

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 33 (u8FL)

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

30

7

20

3

16.9

33

-

7

14

18

2925

-

-

-

-

$0.3623

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