N チャネル Power Trench® MOSFET 40V、108A、2.5mΩ

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Overview

この N チャネル MOSFET は、高度な PowerTrench® プロセスを用いて製造されています。シリコン技術および Dual Cool TM パッケージ技術の両方の進歩が組み合わされ、最低の rDS(on) を実現しながら、接合部から周囲への熱抵抗を極めて低く抑えることで卓越したスイッチング性能を維持します。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Dual CoolTM上面冷却PQFNパッケージ
  • 最大 rDS(on) = 2.5 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 27 A
  • 最大 rDS(on) = 4.1 mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 21 A
  • 超低rDS(on)
    の高パフォーマンス技術
  • RoHS 対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMC8321LDC

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

40

2.5

N-Channel

Single

±20

3

108

56

-

4.1

-

22

2832

$0.8749

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