N チャネル Power Trench® MOSFET 20V、16.5A、5mΩ

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Overview

この N チャネル MOSFET は、高度な PowerTrench プロセスの堅牢性に優れたゲート・バージョンです。これは、スイッチング性能と超低 rDS(on) のために最適化されています。

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  • 最大 rDS(on) = 5mΩ @ VGS = 10V、ID = 16.5A
  • 最大 rDS(on) = 6.4mΩ @ VGS = 4.5V、ID = 14A
  • 低プロファイル - Power 33で最大1mm
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMC8554

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CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-8

1

260

REEL

3000

Y

20

5

N-Channel

Single

20

3

16.5

41

-

6.4

12

24

2540

$0.5417

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