FDMC86102

Nチャネルシールドゲート PowerTrench® MOSFET 100 V、20 A、24 mΩ

Overview

このNチャネル MOSFETは、シールドゲート技術を組み込んだ高度なPowerTrench®プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗向けに最適化され、同様に優れたスイッチング性能を維持します。

アプリケーション

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特長

シールドゲートMOSFET技術
最大 r_DS(on) = 24 mΩ @ V_GS = 10 V、I_D = 7 A
最大r_DS(on) = 38 mΩ、V_GS = 6 V、I_D = 5 A
低プロファイル - Power 33で最大1mm
100%のUILがテスト済み
RoHS対応

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMC86102

Active

PQFN-8

483AK

260

REEL

3000

100

N-Channel

Single

±20

725

$0.8344

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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