FDMC86116LZ: Nチャネル PowerTrench® MOSFET、100V、7.5A、103mΩ

Datasheet: MOSFET – N-Channel, Shielded Gate, POWERTRENCH® 100 V, 7.5 A, 103 mΩ
Rev. 3 (459kB)
製品概要
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このNチャネルLogic Level MOSFETは、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なPower Trench®プロセスを使用して製造されます。ESD電圧レベルを高めるためにG-Sツェナーを追加しています。
特長
 
  • 最大RDS(on) = 103 mΩ、VGS = 10 V、ID = 3.3 A
  • 最大RDS(on) = 153 mΩ、VGS = 4.5 V、ID = 2.7 A
  • HBM ESD保護レベル>3 KV通常
  • 100%のUILがテスト済み
  • RoHS対応
アプリケーション
  • コンシューマー
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
STR-10-16V-BLDC-MDK-GEVB Active
Pb-free
600W, 10-16V Motor Development Board
STR-10-16V-BLDC-MDK-GEVK Active
Pb-free
600W, 10-16V Motor Development Kit
STR-16-30V-BLDC-MDK-GEVB Active
Pb-free
1kW, 16-30V Motor Development Board
STR-16-30V-BLDC-MDK-GEVK Active
Pb-free
1kW, 16-30V Motor Development board
STR-30-60V-BLDC-MDK-GEVB Active
Pb-free
1kW, 30-60V Motor Development Board
STR-30-60V-BLDC-MDK-GEVK Active
Pb-free
1kW, 30-60V Motor Development Board
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FDMC86116LZ Active
Pb-free
Halide free
FDMC86116LZ WDFN-8 511DR 1 260 Tape and Reel 3000 $0.3319
マーケットリードタイム(週) : 8 to 12

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDMC86116LZ  
 $0.3319 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
100
±20
2.2
7.5
19
-
153
103
-
2
232
WDFN-8
Case Outline
511DR   
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