FDMC8622: N チャネル・シールド・ゲート PowerTrench® MOSFET 100 V、16 A、56 mΩ

Datasheet: FDMC8622JP-D.pdf
Rev. A (465kB)
製品概要
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製品変更通知
この N チャネル MOSFET は、シールド・ゲート技術を組み込んだ高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、rDS(on)、スイッチング性能、堅牢性のために最適化されています。
特長
 
  • シールドゲートMOSFET技術
  • 最大 rDS(on) = 56 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 4 A
  • 最大 rDS(on) = 100 mΩ@ VGS = 6 V、ID = 3 A
  • 超低rDS(on)用の高性能トレンチ技術
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
  • 100%のUILがテスト済み
  • 端子は鉛フリーでRoHS対応です。
アプリケーション
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評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
NCP1095GEVB Active
Pb-free
PoE-PD Interface Controller Evaluation Board, IEEE 802.3bt
FutureElectronics (2020-08-19) : 1
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FDMC8622 Active
Pb-free
Halide free
FDMC8622 WDFN-8 511DQ 1 260 Tape and Reel 3000 $0.2464
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDMC8622  
 $0.2464 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
100
±20
4
16
31
-
-
56
-
3
3
302
WDFN-8
Case Outline
511DQ   
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