N チャネル・シールド・ゲート PowerTrench® MOSFET 100 V、16 A、56 mΩ

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Overview

この N チャネル MOSFET は、シールド・ゲート技術を組み込んだ高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、rDS(on)、スイッチング性能、堅牢性のために最適化されています。

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  • シールドゲートMOSFET技術
  • 最大 rDS(on) = 56 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 4 A
  • 最大 rDS(on) = 100 mΩ@ VGS = 6 V、ID = 3 A
  • 超低rDS(on)用の高性能トレンチ技術
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
  • 100%のUILがテスト済み
  • 端子は鉛フリーでRoHS対応です。

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状態

ECAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Configuration

V(BR)DSS Min (V)

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Pricing ($/Unit)

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FDMC8622

Active

Pb

A

H

P

WDFN-8

1

260

REEL

3000

Y

N-Channel

Single

100

±20

4

16

31

-

-

56

3

3

302

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