FDMC86244: Nチャネル Power Trench® MOSFET 150V、9.4A、134mΩ

Datasheet: MOSFET – N-Channel, Shielded Gate, POWERTRENCH® 150 V, 9.4 A, 134 mΩ
Rev. 3 (490kB)
製品概要
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このNチャネルMOSFETは、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なPower Trench®プロセスを使用して製造されます。
特長
 
  • 最大 rDS(on) = 134 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 2.8 A
  • 最大RDS(on)=186mΩ@VGS=6V、ID=2.4A
  • 薄型 - Power 33で最大1mm
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS対応
アプリケーション
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評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
STR-60-100V-BLDC-MDK-GEVB Active
Pb-free
1kW, 60-100V Motor Development Board
STR-60-100V-BLDC-MDK-GEVK Active
Pb-free
1kW, 60-100V Motor Development Board
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FDMC86244 Active
Pb-free
Halide free
FDMC86244 WDFN-8 511DR 1 260 Tape and Reel 3000 $0.4221
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDMC86244  
 $0.4221 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
150
±20
4
9.4
26
-
-
134
-
2.4
257
WDFN-8
Case Outline
511DR   
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