FDMC86261P

Pチャネル Power Trench® MOSFET -150V、-9A、160mΩ

Overview

このPチャネルMOSFETは、高度なPowerTrench®技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化しするように構成され、優れたスイッチング性能のために最適化されています。

アプリケーション

Industrial
Portable and Wireless

特長

最大r_DS(on)= 160 mΩ @ V_GS = -10 V、I_D = -2.4 A
最大r_DS(on) = 185 mΩ @ V_GS= -6 V、I_D = -2.2 A
超低R_DS-on中電圧Pチャンネルシリコン技術、低Qgに最適化
この製品は、負荷スイッチ用途だけでなく高速スイッチングにも最適化します。
100%のUILがテスト済み
RoHS対応

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMC86261P

Active

WDFN-8

511DH

260

REEL

3000

-150

160

P-Channel

Single

±25

-4

-9

1021

$0.6831

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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