FDMC86570LET60

NチャンネルシールドゲートPowerTrench® MOSFET

Overview

この N チャンネル MOSFET は、シールドゲート技術を組み込んだフェアチャイルドセミコンダクターの高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されます。このプロセスはオン状態の抵抗を最小化しつつ、優れたスイッチング性能を維持するように最適化されています。

アプリケーション

DC-DC商用パワーサプライ

特長

シールドゲートMOSFET技術
最大 r_DS(on)= 4.3 mΩ @ V_GS = 10 V、I_D= 18 A
最大 r_DS(on)= 6.5 mΩ @ V_GS = 4.5 V、I_D = 15 A
超低rDS(on)の高パフォーマンス技術
終端器は鉛フリーです
RoHS準拠
"

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMC86570LET60

Active

PQFN-8

483AW

260

REEL

3000

4.3

N-Channel

Single

±20

6.5

4790

$1.1275

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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